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☆ ナノセブン＜ＴＮ－Ａ１＞・計測事例 ☆
１．ウェハ、各種基板材
２．金属材（研磨面）
３．その他計測例
計測設定 1D計測長：100µm / 2D計測エリア：100×100µm
1.ウエハ/各種基板材
1-1 4inch シリコンウエハー-①
1D粗さ（Ra：線粗さ） 0.26nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）0.26nm
1-2 4inch シリコンウエハー-②
1D粗さ（Ra：線粗さ）0.27nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）0.25nm
1-3 6inch シリコンウエハー+酸化膜
1D粗さ（Ra：線粗さ）0.25nm
2D粗さ（Sa：面粗さ） 0.20nm
1-4 6inch Au成膜ウエハー
1D粗さ（Ra：線粗さ）0.26nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）0.30nm
1-5 2inch GaNウエハー
1D粗さ（Ra：線粗さ）0.65nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）0.64nm
1-6 6inch サファイア基板
1D粗さ（Ra：線粗さ）1.22nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）1.40nm
1-7 4inch サファイア基板（中間研磨品）
1D粗さ（Ra：線粗さ）2.70nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）3.06nm
1-8 4inch サファイア基板（仕上研磨品）
1D粗さ（Ra：線粗さ）1.09nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）1.12nm
1-9 石英基板（精密研磨）
1D粗さ（Ra：線粗さ）0.75nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）1.04nm
1-10 石英基板（粗研磨）
1D粗さ（Ra：線粗さ）61.4nm
2D粗さ（Sa：面粗さ） 66.0nm
2.金属材（研磨面）
2-1 SUS304（研磨面）
1D粗さ（Ra：線粗さ）0.30nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）0.74nm
2-2 チタン（研磨面）
1D粗さ（Ra：線粗さ）1.87nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）2.87nm
2-3 比較用ラップ仕上面標準片（0.2-S/SN-2)
1D粗さ（Ra：線粗さ）7.69nm
2D粗さ（Sa：面粗さ）5.17nm
3.その他計測例
3.その他計測例
スクラッチ計測 ／ 段差計測 ／ 形状計測
3-2 段差計測（VLSIスタンダード社/高さ標準ゲージ）
ゲージ中心部の段差（実測値：高さ20.2nm/幅100µm）の部分を計測
3-3 形状計測（VLSIスタンダード社/高さ標準ゲージ）
ゲージ上部のインクリメンタルピッチエリア（段差20nmでピッチ間隔が変化していく形状エリア）
